Исследователи из Аргоннской национальной лаборатории связали искусственный интеллект с системой нанесения тонких плёнок атомарной толщины на кремний в ходе изготовления микросхем. Такие плёнки могут нести множество функциональных нагрузок: от изоляции элементов до придания транзисторам на кристалле особых характеристик. ИИ позволяет оптимизировать процесс нанесения плёнок и экономит время и деньги.
Источник изображения: Fotogrin/Shutterstock
Процесс нанесения тонкоплёночных покрытий носит название атомно-слоевого осаждения (ALD). Чаще всего в процессе ALD попеременно используются два прекурсора, которые в виде газа закачиваются в химический реактор с кремниевой пластиной. Каждый из них через время необходимо откачать, и так много раз. Качество и свойства нанесённой таким образом плёнки зависят от длительности каждого цикла. В процессе оптимизации исследователи должны множество раз извлечь образец и дать оценку покрытию.
Американские учёные смогли подключить к процессу ИИ с обратной связью с реактором. Алгоритм рассчитывает предполагаемый идеальный цикл нанесения атомарной плёнки и почти сразу получает данные о проведённой химической реакции. Больше нет нужды извлекать образец, проводить измерения и помещать его для дальнейшей обработки. Автоматика тут же корректирует параметры установки для улучшения результата наращивания плёнки. Благодаря ИИ процесс идёт намного быстрее.
Источник: 3dnews.ru
